制造商型号： | DMN3200U-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN3200U-7
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DMN3200U-7 中文资料
数据手册PDF
DMN3200U-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 -
耗散功率 650 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 90585
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.578414 | 6.58 |
| 10 | 4.451903 | 44.52 |
| 100 | 3.007712 | 300.77 |
| 500 | 2.341609 | 1170.80 |
| 1000 | 2.12085 | 2120.85 |
品牌其他型号
DMN3200U-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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