制造商型号： | SIE812DF-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIE812DF-T1-GE3
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SIE812DF-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIE812DF-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PolarPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 163 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIE812DF-GE3
单位重量 2 g
库存： 1055
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 46.611219 | 46.61 |
| 10 | 41.808421 | 418.08 |
| 25 | 39.527447 | 988.19 |
| 100 | 31.621957 | 3162.20 |
| 250 | 29.865182 | 7466.30 |
| 500 | 28.108406 | 14054.20 |
| 1000 | 24.067823 | 24067.82 |
品牌其他型号
SIE812DF-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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