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INFINEON(英飞凌) IPB096N03LGATMA1

INFINEON(英飞凌) IPB096N03LGATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IPB096N03LGATMA1

制造商:

INFINEON (英飞凌)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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IPB096N03LGATMA1 中文资料

IPB096N03LGATMA1 规格参数

属性
参数值

制造商型号

IPB096N03LGATMA1

制造商

INFINEON(英飞凌)

商品描述

MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

9.6mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

15nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

1600pF @ 15V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

42W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

D²PAK (TO-263AB)

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

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