制造商型号： | IPN60R2K0PFD7SATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPN60R2K0PFD7SATMA1
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IPN60R2K0PFD7SATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R2K0PFD7S SP003493700
单位重量 116.010 mg
IPN60R2K0PFD7SATMA1 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥9.208904 总价：￥9.21 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.208904 | 9.21 |
| 10 | 7.933824 | 79.34 |
| 25 | 7.401125 | 185.03 |
| 100 | 5.49984 | 549.98 |
| 250 | 5.224423 | 1306.11 |
| 500 | 4.293898 | 2146.95 |
| 1000 | 3.490174 | 3490.17 |
品牌其他型号
IPN60R2K0PFD7SATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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