制造商型号: | RDD022N60TL |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V CPT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) RDD022N60TL
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RDD022N60TL 中文资料
数据手册PDF
RDD022N60TL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 5.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 51 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 53 ns
正向跨导(Min) 500 mS
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RDD022N60
单位重量 330 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 4.101158 | 10252.90 |
品牌其他型号
RDD022N60TL品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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