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ON(安森美) FQD9N25TM-F080

ON(安森美) FQD9N25TM-F080
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FQD9N25TM-F080

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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FQD9N25TM-F080 中文资料

FQD9N25TM-F080 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标名 QFET

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 250 V

漏极电流 7.4 A

漏源电阻 420 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 20 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 45 ns

正向跨导(Min) 6.8 S

上升时间 105 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 25 ns

典型接通延迟时间 13 ns

外形参数

高度 2.39 mm

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor

零件号别名 FQD9N25TM_F080

单位重量 330 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1+ : 需询价
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