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SILICONIX(威世) SQJ444EP-T1_GE3

SILICONIX(威世) SQJ444EP-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQJ444EP-T1_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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SQJ444EP-T1_GE3 中文资料

SQJ444EP-T1_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 2.6 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 80 nC

耗散功率 68 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 21 ns

正向跨导(Min) 80 S

上升时间 19 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns

典型接通延迟时间 11 ns

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

库存: 37

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥14.209427 总价:¥14.21
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 14.209427 14.21
10 12.689636 126.90
25 12.039709 300.99
100 9.029782 902.98
250 8.943784 2235.95
500 7.653815 3826.91
1000 6.23485 6234.85
品牌其他型号
SQJ444EP-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQJ444EP-T1_GE3、查询SQJ444EP-T1_GE3代理商; SQJ444EP-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQJ444EP-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQJ444EP-T1_GE3替代型号SQJ444EP-T1_GE3数据手册PDF