制造商型号： | IXFA4N100P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFA4N100P
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IXFA4N100P 中文资料
数据手册PDF
IXFA4N100P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 3.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 24 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 1.600 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 29.814413 | 29.81 |
| 10 | 26.756525 | 267.57 |
| 100 | 21.922281 | 2192.23 |
| 500 | 18.662294 | 9331.15 |
| 1000 | 15.7393 | 15739.30 |
品牌其他型号
IXFA4N100P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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