制造商型号: | BSZ120P03NS3GATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ120P03NS3GATMA1
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BSZ120P03NS3GATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSZ120P03NS3GATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ120P03NS3 G SP000709736
单位重量 38.760 mg
库存: 11962
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.843858 | 10.84 |
10 | 9.348152 | 93.48 |
100 | 6.472661 | 647.27 |
500 | 5.407969 | 2703.98 |
1000 | 4.602533 | 4602.53 |
2000 | 4.099104 | 8198.21 |
品牌其他型号
BSZ120P03NS3GATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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