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SILICONIX(威世) SIHH070N60EF-T1GE3

SILICONIX(威世) SIHH070N60EF-T1GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SIHH070N60EF-T1GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 650V PPAK 8X8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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SIHH070N60EF-T1GE3 中文资料

SIHH070N60EF-T1GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 36 A

漏源电阻 71 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 5 V

栅极电荷 50 nC

耗散功率 202 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 38 ns

正向跨导(Min) 10.5 S

上升时间 79 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 55 ns

典型接通延迟时间 36 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 50 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥52.470266 总价:¥52.47

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 52.470266 52.47
10 47.422419 474.22
100 39.263027 3926.30
500 34.189929 17094.96
1000 29.778334 29778.33
品牌其他型号
SIHH070N60EF-T1GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIHH070N60EF-T1GE3、查询SIHH070N60EF-T1GE3代理商; SIHH070N60EF-T1GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIHH070N60EF-T1GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SIHH070N60EF-T1GE3替代型号SIHH070N60EF-T1GE3数据手册PDF