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SILICONIX(威世) SIA445EDJ-T1-GE3

SILICONIX(威世) SIA445EDJ-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SIA445EDJ-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SIA445EDJ-T1-GE3 中文资料

SIA445EDJ-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 16.5 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 48 nC

耗散功率 19 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 20 ns

正向跨导(Min) 29 S

上升时间 25 ns

典型关闭延迟时间 55 ns

典型接通延迟时间 25 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIA445EDJ-GE3

单位重量 41 mg

库存: 19785

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥6.509234 总价:¥6.51
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 6.509234 6.51
10 4.867524 48.68
30 4.565105 136.95
100 4.262684 426.27
500 4.133076 2066.54
品牌其他型号
SIA445EDJ-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIA445EDJ-T1-GE3、查询SIA445EDJ-T1-GE3代理商; SIA445EDJ-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIA445EDJ-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SIA445EDJ-T1-GE3替代型号SIA445EDJ-T1-GE3数据手册PDF