制造商型号: | SIA445EDJ-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA445EDJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA445EDJ-GE3
单位重量 41 mg
库存: 19785
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.509234 | 6.51 |
10 | 4.867524 | 48.68 |
30 | 4.565105 | 136.95 |
100 | 4.262684 | 426.27 |
500 | 4.133076 | 2066.54 |
品牌其他型号
SIA445EDJ-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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