制造商型号: | SUP50020EL-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SUP50020EL-GE3
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SUP50020EL-GE3 中文资料
数据手册PDF
SUP50020EL-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 126 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 145 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SUP50020EL-GE3 同类别型号
库存: 500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 37.161463 | 37.16 |
10 | 31.245965 | 312.46 |
100 | 25.277378 | 2527.74 |
500 | 22.468781 | 11234.39 |
1000 | 19.238893 | 19238.89 |
2000 | 18.115454 | 36230.91 |
5000 | 17.379935 | 86899.68 |
品牌其他型号
SUP50020EL-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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