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SILICONIX(威世) SQM10250E_GE3

SILICONIX(威世) SQM10250E_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQM10250E_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CHAN 250V TO-263

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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SQM10250E_GE3 中文资料

SQM10250E_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 250 V

漏极电流 65 A

漏源电阻 24.4 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 50 nC

耗散功率 375 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

上升时间 6 ns

典型关闭延迟时间 38 ns

典型接通延迟时间 14 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 4 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥37.809427 总价:¥37.81

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 37.809427 37.81
10 33.941992 339.42
25 32.091059 802.28
100 27.813404 2781.34
品牌其他型号
SQM10250E_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQM10250E_GE3、查询SQM10250E_GE3代理商; SQM10250E_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQM10250E_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQM10250E_GE3替代型号SQM10250E_GE3数据手册PDF