制造商型号： | SI2312CDS-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI2312CDS-T1-GE3
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SI2312CDS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2312CDS-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 31.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3
单位重量 8 mg
SI2312CDS-T1-GE3 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.903967 | 2711.90 |
| 6000 | 0.85798 | 5147.88 |
| 9000 | 0.796727 | 7170.54 |
| 30000 | 0.778333 | 23349.99 |
| 75000 | 0.758469 | 56885.17 |
品牌其他型号
SI2312CDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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