制造商型号： | FDD306P |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ON(安森美) FDD306P
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FDD306P 中文资料
数据手册PDF
FDD306P 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDD306P_NL
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 3.157085 | 7892.71 |
| 5000 | 2.9992 | 14996.00 |
品牌其他型号
FDD306P品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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