制造商型号： | RQ6E045TNTR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | RQ6E045TN IS THE LOW ON - RESIST |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RQ6E045TNTR
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RQ6E045TNTR 中文资料
数据手册PDF
RQ6E045TNTR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E045TN
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.540574 | 4621.72 |
品牌其他型号
RQ6E045TNTR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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