制造商型号: | SI8497DB-T2-E1 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI8497DB-T2-E1
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SI8497DB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8497DB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 17 ns
外形参数
高度 0.6 mm
长度 2.36 mm
宽度 1.56 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
SI8497DB-T2-E1 同类别型号
库存: 4998
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.919373 | 6.92 |
10 | 5.930891 | 59.31 |
25 | 5.535499 | 138.39 |
100 | 4.112084 | 411.21 |
250 | 3.906481 | 976.62 |
500 | 3.210589 | 1605.29 |
1000 | 2.609592 | 2609.59 |
品牌其他型号
SI8497DB-T2-E1品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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