制造商型号： | SIHA690N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH EF PWR TO-220 FP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHA690N60E-GE3
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SIHA690N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHA690N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
下降时间 22 ns
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHA690N60E-GE3 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥21.870162 总价：￥21.87 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.870162 | 21.87 |
| 10 | 19.683145 | 196.83 |
| 25 | 18.56369 | 464.09 |
| 100 | 14.481259 | 1448.13 |
| 250 | 14.109592 | 3527.40 |
| 500 | 12.252974 | 6126.49 |
| 1000 | 10.396358 | 10396.36 |
| 2500 | 10.247838 | 25619.60 |
| 5000 | 9.505241 | 47526.21 |
品牌其他型号
SIHA690N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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