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DIODES(美台) DMN66D0LW-7

DIODES(美台) DMN66D0LW-7
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMN66D0LW-7

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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DMN66D0LW-7 中文资料

数据手册PDF

DMN66D0LW-7 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 115 mA

漏源电阻 6 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 -

耗散功率 200 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 33 ns

典型接通延迟时间 10 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 2.15 mm

宽度 1.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥4.738276 总价:¥4.74

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 4.738276 4.74
品牌其他型号
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