制造商型号： | STD11N60DM2 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ST(意法半导体) STD11N60DM2
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STD11N60DM2 中文资料
数据手册PDF
STD11N60DM2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD11N60DM2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
420mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
614pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存： 1905
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.557044 | 21.56 |
| 10 | 17.881132 | 178.81 |
| 100 | 14.236372 | 1423.64 |
| 500 | 12.046277 | 6023.14 |
| 1000 | 10.22103 | 10221.03 |
品牌其他型号
STD11N60DM2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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