制造商型号： | TSM3N90CI C0G |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM3N90CI C0G
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TSM3N90CI C0G 中文资料
数据手册PDF
TSM3N90CI C0G 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导（Min） 3 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 976
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 27.553926 | 27.55 |
| 10 | 24.786176 | 247.86 |
| 100 | 19.925318 | 1992.53 |
| 500 | 16.370737 | 8185.37 |
品牌其他型号
TSM3N90CI C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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