制造商型号： | TSM85N10CZ C0G |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM85N10CZ C0G
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TSM85N10CZ C0G 中文资料
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TSM85N10CZ C0G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM85N10CZ C0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
81A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10mOhm @ 40A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
154nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3900pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
210W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
库存： 882
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.341366 | 24.34 |
| 10 | 21.882518 | 218.83 |
| 25 | 20.649386 | 516.23 |
| 100 | 16.106077 | 1610.61 |
| 250 | 15.693138 | 3923.28 |
| 500 | 13.628447 | 6814.22 |
| 1000 | 11.563508 | 11563.51 |
| 2500 | 11.398308 | 28495.77 |
| 5000 | 10.572308 | 52861.54 |
品牌其他型号
TSM85N10CZ C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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