制造商型号： | SIHA6N80AE-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET E SERIES THIN-LEAD TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHA6N80AE-GE3
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SIHA6N80AE-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHA6N80AE-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 826 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 1.9 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥22.101368 总价：￥22.10 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.101368 | 22.10 |
| 10 | 19.763723 | 197.64 |
| 25 | 18.763494 | 469.09 |
| 100 | 14.072621 | 1407.26 |
| 250 | 13.938595 | 3484.65 |
| 500 | 11.928221 | 5964.11 |
品牌其他型号
SIHA6N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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