制造商型号： | CSD13202Q2 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD13202Q2
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CSD13202Q2 中文资料
数据手册PDF
CSD13202Q2 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 580 mV
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.6 ns
正向跨导（Min） 44 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.904685 总价：￥6.90 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.904685 | 6.90 |
| 10 | 5.931236 | 59.31 |
| 100 | 4.428053 | 442.81 |
| 500 | 3.47883 | 1739.41 |
| 1000 | 2.688187 | 2688.19 |
品牌其他型号
CSD13202Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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