制造商型号: | ISP25DP06LMXTSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 60V SOT223-4 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) ISP25DP06LMXTSA1
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ISP25DP06LMXTSA1 中文资料
数据手册PDF
ISP25DP06LMXTSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13.9 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 4.4 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 ISP25DP06LM SP004987270
单位重量 113.660 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥3.253753 总价:¥3253.75 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 3.253753 | 3253.75 |
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ISP25DP06LMXTSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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