制造商型号: | DMN2004K-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN2004K-7
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DMN2004K-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2004K-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37.6 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 59.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 15126
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.573646 | 4.57 |
10 | 3.4735 | 34.73 |
100 | 2.165684 | 216.57 |
500 | 1.481616 | 740.81 |
1000 | 1.139704 | 1139.70 |
品牌其他型号
DMN2004K-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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