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DIODES(美台) DMN2004K-7

DIODES(美台) DMN2004K-7
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMN2004K-7

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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DMN2004K-7 中文资料

数据手册PDF

DMN2004K-7 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 630 mA

漏源电阻 550 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 900 pC

耗散功率 350 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 37.6 ns

上升时间 8.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 59.4 ns

典型接通延迟时间 5.7 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

库存: 15126

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥4.573646 总价:¥4.57
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 4.573646 4.57
10 3.4735 34.73
100 2.165684 216.57
500 1.481616 740.81
1000 1.139704 1139.70
品牌其他型号
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