制造商型号: | STQ1HN60K3-AP |
制造商: | ST (意法半导体) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 |
供货: | 国内现货 工作日(1~3工作日) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ST(意法半导体) STQ1HN60K3-AP

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STQ1HN60K3-AP 中文资料
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STQ1HN60K3-AP 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STQ1HN60K3-AP
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
包装
Tape & Box (TB)
Alternate Packaging
系列
SuperMESH3™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
400mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8Ohm @ 600mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
140pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2000 | 1.797373 | 3594.75 |
6000 | 1.617636 | 9705.82 |
10000 | 1.497811 | 14978.11 |
50000 | 1.437899 | 71894.95 |
品牌其他型号
STQ1HN60K3-AP品牌厂家:ST
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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