制造商型号： | FDC642P-F085 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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客服： | |
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ON(安森美) FDC642P-F085
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FDC642P-F085 中文资料
数据手册PDF
FDC642P-F085 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDC642P-F085
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
65mOhm @ 4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
640pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
品牌其他型号
FDC642P-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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