制造商型号： | SI8808DB-T2-E1 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI8808DB-T2-E1
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SI8808DB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8808DB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 10 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
库存： 26938
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.665911 | 4.67 |
| 10 | 4.550704 | 45.51 |
| 30 | 4.464298 | 133.93 |
| 100 | 3.225815 | 322.58 |
品牌其他型号
SI8808DB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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