制造商型号: | SIA459EDJ-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 9A SC70 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIA459EDJ-T1-GE3
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SIA459EDJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA459EDJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 15.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 47.095 mg
SIA459EDJ-T1-GE3 同类别型号
库存: 1008
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.006658 | 6.01 |
10 | 5.10566 | 51.06 |
100 | 3.814228 | 381.42 |
500 | 2.997083 | 1498.54 |
1000 | 2.315928 | 2315.93 |
品牌其他型号
SIA459EDJ-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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