制造商型号： | SI9433BDY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI9433BDY-T1-GE3
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SI9433BDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI9433BDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9433BDY-GE3
单位重量 750 mg
SI9433BDY-T1-GE3 同类别型号
库存： 1992
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.491099 | 11.49 |
| 10 | 10.317277 | 103.17 |
| 100 | 8.046241 | 804.62 |
| 500 | 6.647045 | 3323.52 |
| 1000 | 5.247726 | 5247.73 |
品牌其他型号
SI9433BDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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