制造商型号： | IRFBF30PBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) IRFBF30PBF
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IRFBF30PBF 中文资料
数据手册PDF
IRFBF30PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 3.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBF30PBF-BE3
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.261321 | 19.26 |
| 10 | 17.288373 | 172.88 |
| 100 | 13.895572 | 1389.56 |
| 500 | 11.416613 | 5708.31 |
| 1000 | 9.459449 | 9459.45 |
品牌其他型号
IRFBF30PBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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