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ON(安森美) FQD2N100TM

ON(安森美) FQD2N100TM
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FQD2N100TM

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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FQD2N100TM 中文资料

数据手册PDF

FQD2N100TM 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1 kV

漏极电流 1.6 A

漏源电阻 7.1 Ohms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 15.5 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 35 ns

正向跨导(Min) 1.9 S

上升时间 30 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 25 ns

典型接通延迟时间 13 ns

外形参数

高度 2.39 mm

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

零件号别名 FQD2N100TM_NL

单位重量 330 mg

库存: 37540

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

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