制造商型号： | DMN61D8L-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN61D8L-7
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DMN61D8L-7 中文资料
数据手册PDF
DMN61D8L-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 470 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 740 pC
耗散功率 610 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 440 ns
上升时间 301 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 582 ns
典型接通延迟时间 131 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 9607
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.44816 | 1.45 |
| 10 | 1.110026 | 11.10 |
| 30 | 1.047814 | 31.43 |
| 100 | 0.985746 | 98.57 |
| 500 | 0.95824 | 479.12 |
品牌其他型号
DMN61D8L-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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