制造商型号： | BTS282ZE3180AATMA2 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BTS282ZE3180AATMA2
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BTS282ZE3180AATMA2 中文资料
数据手册PDF
BTS282ZE3180AATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 49 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 30 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BTS282Z E3180A SP000910848
单位重量 1.600 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥92.805053 总价：￥92.81 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 92.805053 | 92.81 |
| 10 | 83.811573 | 838.12 |
| 100 | 69.383737 | 6938.37 |
| 500 | 60.418413 | 30209.21 |
品牌其他型号
BTS282ZE3180AATMA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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