制造商型号: | SI7157DP-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI7157DP-T1-GE3
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SI7157DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7157DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.25 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 625 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 220 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥18.530466 总价:¥18.53 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.530466 | 18.53 |
10 | 15.12285 | 151.23 |
100 | 11.764981 | 1176.50 |
500 | 9.971879 | 4985.94 |
1000 | 8.123184 | 8123.18 |
品牌其他型号
SI7157DP-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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