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SILICONIX(威世) SISC06DN-T1-GE3

SILICONIX(威世) SISC06DN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SISC06DN-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 30V

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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SISC06DN-T1-GE3 中文资料

SISC06DN-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 40 A

漏源电阻 4 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 38.5 nC

耗散功率 46.3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

上升时间 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 23 ns

典型接通延迟时间 12 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1 g

库存: 5990

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥10.996861 总价:¥11.00
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 10.996861 11.00
10 9.847751 98.48
25 9.341154 233.53
100 7.005865 700.59
250 6.939143 1734.79
500 5.938304 2969.15
1000 4.837384 4837.38
品牌其他型号
SISC06DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SISC06DN-T1-GE3、查询SISC06DN-T1-GE3代理商; SISC06DN-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SISC06DN-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SISC06DN-T1-GE3替代型号SISC06DN-T1-GE3数据手册PDF