制造商型号: | DMT3006LDK-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) DMT3006LDK-7
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DMT3006LDK-7 中文资料
数据手册PDF
DMT3006LDK-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17.1 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 16.7 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.574968 总价:¥5.57 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.574968 | 5.57 |
10 | 4.732792 | 47.33 |
100 | 3.533581 | 353.36 |
500 | 2.776571 | 1388.29 |
1000 | 2.145533 | 2145.53 |
品牌其他型号
DMT3006LDK-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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