制造商型号： | SI4435DDY-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI4435DDY-T1-E3
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SI4435DDY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4435DDY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11.4 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4435DDY-E3
单位重量 187 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥9.1667 总价：￥9.17 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.1667 | 9.17 |
| 10 | 8.042252 | 80.42 |
| 100 | 6.16858 | 616.86 |
| 500 | 4.876685 | 2438.34 |
| 1000 | 3.901349 | 3901.35 |
品牌其他型号
SI4435DDY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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