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SILICONIX(威世) SI1031R-T1-GE3

SILICONIX(威世) SI1031R-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI1031R-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
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SI1031R-T1-GE3 中文资料

SI1031R-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 150 mA

漏源电阻 8 Ohms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 1.5 nC

耗散功率 280 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 0.8 mm

长度 1.575 mm

宽度 0.76 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI1031R-GE3

单位重量 2 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥3.441903 总价:¥3.44

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 3.441903 3.44
10 2.776024 27.76
100 1.89213 189.21
500 1.419097 709.55
1000 1.064323 1064.32
品牌其他型号
SI1031R-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI1031R-T1-GE3、查询SI1031R-T1-GE3代理商; SI1031R-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI1031R-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI1031R-T1-GE3替代型号SI1031R-T1-GE3数据手册PDF