制造商型号: | SI8489EDB-T2-E1 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI8489EDB-T2-E1
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SI8489EDB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8489EDB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.865071 | 3.87 |
10 | 3.770545 | 37.71 |
30 | 3.71803 | 111.54 |
100 | 3.655013 | 365.50 |
品牌其他型号
SI8489EDB-T2-E1品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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