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SILICONIX(威世) SI8489EDB-T2-E1

SILICONIX(威世) SI8489EDB-T2-E1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI8489EDB-T2-E1

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

自营
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SI8489EDB-T2-E1 中文资料

SI8489EDB-T2-E1 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5.4 A

漏源电阻 36 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 27 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 25 ns

正向跨导(Min) 10 S

上升时间 20 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 50 ns

典型接通延迟时间 27 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 99 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥3.865071 总价:¥3.87

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 3.865071 3.87
10 3.770545 37.71
30 3.71803 111.54
100 3.655013 365.50
品牌其他型号
SI8489EDB-T2-E1品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI8489EDB-T2-E1、查询SI8489EDB-T2-E1代理商; SI8489EDB-T2-E1价格批发咨询客服;这里拥有 SI8489EDB-T2-E1中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI8489EDB-T2-E1替代型号SI8489EDB-T2-E1数据手册PDF