制造商型号： | 2N7002E-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) 2N7002E-T1-E3
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2N7002E-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
2N7002E-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 240 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 600 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 2N7002E-E3
单位重量 8 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.396333 总价：￥7.40 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.396333 | 7.40 |
| 10 | 6.367781 | 63.68 |
| 100 | 4.756766 | 475.68 |
| 500 | 3.73746 | 1868.73 |
| 1000 | 2.888038 | 2888.04 |
品牌其他型号
2N7002E-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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