制造商型号： | SI7370DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7370DP-T1-GE3
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SI7370DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7370DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15.8 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 5.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7370DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SI7370DP-T1-GE3 同类别型号
库存： 4211
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 36.079589 | 36.08 |
| 10 | 32.422206 | 324.22 |
| 25 | 30.58363 | 764.59 |
| 100 | 23.853304 | 2385.33 |
| 250 | 23.24168 | 5810.42 |
| 500 | 20.183564 | 10091.78 |
| 1000 | 17.125448 | 17125.45 |
品牌其他型号
SI7370DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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