制造商型号： | SI7114ADN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI7114ADN-T1-GE3
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SI7114ADN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7114ADN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7114ADN-GE3
单位重量 1 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.08494 | 6254.82 |
| 6000 | 1.876446 | 11258.68 |
| 15000 | 1.73745 | 26061.75 |
| 30000 | 1.709651 | 51289.53 |
| 75000 | 1.667952 | 125096.40 |
品牌其他型号
SI7114ADN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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