制造商型号： | SQ1464EEH-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHAN 60V SC-70 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SQ1464EEH-T1_GE3
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SQ1464EEH-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQ1464EEH-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 440 mA
漏源电阻 1.41 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 430 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 5.5 S
上升时间 21 ns
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.874147 | 2622.44 |
| 6000 | 0.804431 | 4826.59 |
| 15000 | 0.723987 | 10859.81 |
| 30000 | 0.713261 | 21397.83 |
| 75000 | 0.670359 | 50276.93 |
品牌其他型号
SQ1464EEH-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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