制造商型号: | SIHJ6N65E-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIHJ6N65E-T1-GE3
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SIHJ6N65E-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHJ6N65E-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 755 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIHJ6N65E-T1-GE3 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥25.241714 总价:¥25.24 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 25.241714 | 25.24 |
10 | 22.672266 | 226.72 |
100 | 18.219311 | 1821.93 |
500 | 14.969356 | 7484.68 |
1000 | 12.830827 | 12830.83 |
品牌其他型号
SIHJ6N65E-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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