制造商型号： | RQ6E030ATTCR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) RQ6E030ATTCR
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RQ6E030ATTCR 中文资料
数据手册PDF
RQ6E030ATTCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E030AT
库存： 1173
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.429546 | 7.43 |
| 10 | 6.315115 | 63.15 |
| 100 | 4.389148 | 438.91 |
| 500 | 3.427307 | 1713.65 |
| 1000 | 2.785795 | 2785.79 |
品牌其他型号
RQ6E030ATTCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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