制造商型号： | BFU730F,115 |
制造商： | NXP (恩智浦) |
产品类别： | 晶体管射频 |
商品描述： | RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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NXP(恩智浦) BFU730F,115
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BFU730F,115 中文资料
数据手册PDF
BFU730F,115 规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 55 GHz
直流集电极 205
击穿电压(集电极-发射极) 2.8 V
发射极 - 基极电压 1 V
集电极连续电流 5 mA
集电极—基极电压 10 V
直流电流增益（Max） 555
耗散功率 197 mW
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 934064614115
单位重量 6.665 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.664774 | 4994.32 |
品牌其他型号
BFU730F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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