制造商型号： | HN4B04J(TE85L,F) |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 双极晶体管预偏置 |
商品描述： | TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Toshiba(东芝) HN4B04J(TE85L,F)
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HN4B04J(TE85L,F) 中文资料
数据手册PDF
HN4B04J(TE85L,F) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 35 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 0.1 V
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 200 MHz, 300 MHz
集电极连续电流 500 mA
直流集电极 70
直流电流增益（Max） 240
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
