制造商型号： | IGW25N120H3 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Infineon Technologies(英飞凌) IGW25N120H3
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IGW25N120H3 中文资料
数据手册PDF
IGW25N120H3 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
商标名 TRENCHSTOP
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.05 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 326 W
栅极—射极漏泄电流 600 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IGW25N12H3XK SP000674424 IGW25N120H3FKSA1
单位重量 38 g
品牌其他型号
IGW25N120H3品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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